BD237, Транзистор

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD237
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BD237, Транзистор
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярный (BJT) транзистор NPN 80V 2A 25W Through Hole SOT-32-3
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
base product numberBD237 ->
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage0.6 V
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
continuous collector current2 A
current - collector cutoff (max)100ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)2A
dc collector/base gain hfe min40
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce25 @ 1A, 2V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity2000
gain bandwidth product ft3 MHz
height10.8 mm(Max)
htsus8541.29.0095
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length7.8 mm(Max)
manufacturerSTMicroelectronics
maximum collector base voltage80 V
maximum collector emitter voltage80 V
maximum dc collector current2 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency3 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation25 W
minimum dc current gain25
minimum operating temperature-65 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
other related documentshttp://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
packageTube
package / caseTO-225AA, TO-126-3
package typeSOT-32
packagingTube
партномер8016781044
pd - power dissipation25 W
pin count3
power - max25W
product categoryBipolar Transistors-BJT
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
series500V Transistors
supplier device packageSOT-32-3
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
vce saturation (max) @ ib, ic600mV @ 100mA, 1A
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки14:03:24
width2.7 mm(Max)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль