Name: BD180G
Brand: ON Semiconductor***

Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD180G

Подробное описание

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.64
Высота	11.04 mm (Max)
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***

Все характеристики

700 ₽

– +

Бонус: 14 !

Бонусная программа

Итого: 700 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, TO-126; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:3MHz; Power Dissipation Pd:30W; DC Collector Current:3A; DC Current Gain hFE:40hFE; Transistor Case Style:TO-225AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-800mV; Continuous Collector Current Ic Max:3A; Current Ic Continuous a Max:3A; Current Ic hFE:150mA; DC Current Gain Hfe Max:250; DC Current Gain Hfe Min:40; Full Power Rating Temperature:25°C; Gain Bandwidth ft Min:3MHz; Gain Bandwidth ft Typ:3MHz; Hfe Min:40; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:30W; Voltage Vcbo:80V

Дата загрузки	21.02.2024
Вес и габариты
вес, г	0.64
Высота	11.04 mm (Max)
Информация о производителе
Производитель	ON Semiconductor***
Бренд	ON Semiconductor***
Основные
automotive	No
частота перехода ft	3МГц
collector- base voltage vcbo	80 V
collector-emitter saturation voltage	0.8 V
collector emitter voltage max	80В
collector- emitter voltage vceo max	80 V
configuration	Single
continuous collector current	1 A
dc collector/base gain hfe min	15
dc current gain hfe min	40hFE
dc усиление тока hfe	40hFE
длина	7.74 mm (Max)
eccn (us)	EAR99
emitter- base voltage vebo	5 V
factory pack quantity	500
gain bandwidth product ft	3 MHz
height	11.04 mm(Max)
категория	Электронные компоненты/Транзисторы
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
количество выводов	3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15
конфигурация	Single
lead shape	Through Hole
length	7.74 mm(Max)
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	1 A
manufacturer	ON Semiconductor
material	Si
maximum collector base voltage	80 V
maximum collector base voltage (v)	80
maximum collector cut-off current (na)	1000000
maximum collector-emitter saturation voltage (v)	0.8@0.1A@1A
maximum collector emitter voltage	-80 V
maximum collector-emitter voltage (v)	80
maximum dc collector current	1 A
maximum dc collector current (a)	1
maximum emitter base voltage	5 V
maximum emitter base voltage (v)	5
maximum operating frequency	3 MHz
maximum operating temperature	+150 C
maximum operating temperature (°c)	150
maximum power dissipation	30 W
maximum power dissipation (mw)	30000
maximum transition frequency (mhz)	3(Min)
минимальная рабочая температура	65 C
minimum dc current gain	15@1A@2V
minimum operating temperature	-65 C
minimum operating temperature (°c)	-65
монтаж транзистора	Through Hole
mounting	Through Hole
mounting style	Through Hole
mounting type	Through Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.8 V
непрерывный коллекторный ток	1 A
number of elements per chip	1
package / case	TO-225-3
package type	TO-225
packaging	Bulk
партномер	8002986548
part status	Active
pcb changed	3
pd - power dissipation	30 W
pd - рассеивание мощности	30 W
pin count	3
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	PNP
power dissipation	30Вт
ppap	No
product category	Bipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	3 MHz
размер фабричной упаковки	500
rohs	Details
series	BD180
серия	BD180
standard package name	TO
стиль корпуса транзистора	TO-225AA
supplier package	TO-225
tab	Tab
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	ON Semiconductor
transistor configuration	Single
transistor polarity	PNP
transistor type	PNP
type	PNP
упаковка	Bulk
упаковка / блок	TO-225-3
вид монтажа	Through Hole
Время загрузки	0:45:17
Ширина	2.66 м
width	2.66 mm(Max)

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

Теги:

ON Semiconductor***Транзисторы биполярные (BJTs)BD180G BD180