BD180G, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 80 В, 3 А, 30 Вт, TO-225AA, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD180G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJTThe BD180G is a 80V PNP medium-power silicon Bipolar Transistor is designed for use in 5 to 10W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
• Complementary with BD179
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.64 |
| Высота | 11.04 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| частота перехода ft | 3МГц |
| collector- base voltage vcbo | 80 V |
| collector-emitter saturation voltage | 0.8 V |
| collector emitter voltage max | 80В |
| collector- emitter voltage vceo max | 80 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 3А |
| dc collector/base gain hfe min | 15 |
| dc current gain hfe min | 40hFE |
| dc усиление тока hfe | 40hFE |
| длина | 7.74 mm (Max) |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 500 |
| gain bandwidth product ft | 3 MHz |
| height | 11.04 mm(Max) |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| length | 7.74 mm(Max) |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum collector base voltage | 80 V |
| maximum collector base voltage (v) | 80 |
| maximum collector cut-off current (na) | 1000000 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.8@0.1A@1A |
| maximum collector emitter voltage | -80 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
| maximum dc collector current | 1 A |
| maximum dc collector current (a) | 1 |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating frequency | 3 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 30 W |
| maximum power dissipation (mw) | 30000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 3(Min) |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 15@1A@2V |
| minimum operating temperature | -65 C |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting | Through Hole |
| mounting style | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.8 V |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-225-3 |
| package type | TO-225 |
| packaging | Bulk |
| партномер | 8158309835 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 30 W |
| pd - рассеивание мощности | 30 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| power dissipation | 30Вт |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 3 MHz |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| rohs | Details |
| series | BD180 |
| серия | BD180 |
| standard package name | TO |
| стиль корпуса транзистора | TO-225AA |
| supplier package | TO-225 |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | PNP |
| transistor type | PNP |
| type | PNP |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-225-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:59:06 |
| Ширина | 2.66 м |
| width | 2.66 mm(Max) |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
