| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.64 |
| Высота | 11.04 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| частота перехода ft | 3МГц |
| collector- base voltage vcbo | 80 V |
| collector-emitter saturation voltage | 0.8 V |
| collector emitter voltage max | 80В |
| collector- emitter voltage vceo max | 80 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 1 A |
| dc collector/base gain hfe min | 15 |
| dc current gain hfe min | 40hFE |
| dc усиление тока hfe | 40hFE |
| длина | 7.74 mm (Max) |
| eccn (us) | ear99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 500 |
| gain bandwidth product ft | 3 MHz |
| height | 11.04 mm(Max) |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 15 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| length | 7.74 mm(Max) |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum collector base voltage | 80 V |
| maximum collector base voltage (v) | 80 |
| maximum collector cut-off current (na) | 1000000 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.8@0.1A@1A |
| maximum collector emitter voltage | -80 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
| maximum dc collector current | 1 A |
| maximum dc collector current (a) | 1 |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating frequency | 3 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 30 W |
| maximum power dissipation (mw) | 30000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 3(Min) |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 15@1A@2V |
| minimum operating temperature | -65 C |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| монтаж транзистора | Through Hole |
| mounting | Through Hole |
| mounting style | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 80 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.8 V |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | TO-225-3 |
| package type | TO-225 |
| packaging | Bulk |
| партномер | 8002986548 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 30 W |
| pd - рассеивание мощности | 30 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| power dissipation | 30Вт |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 3 MHz |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| rohs | Details |
| series | BD180 |
| серия | BD180 |
| standard package name | TO |
| стиль корпуса транзистора | TO-225AA |
| supplier package | TO-225 |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | PNP |
| transistor type | PNP |
| type | PNP |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TO-225-3 |
| вид монтажа | Through Hole |
| Время загрузки | 0:45:17 |
| Ширина | 2.66 м |
| width | 2.66 mm(Max) |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
