BD17510STU, Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD17510STU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD17510STU, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:45 V
collector-emitter saturation voltage:800 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current:3 A
dc collector/base gain hfe min:40
dc current gain hfe max:250
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1920
gain bandwidth product ft:3 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:3 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-126-3
packaging:Tube
партномер8004832874
pd - power dissipation:30 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BD175
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:59:08
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль