BD14016S, Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD14016S
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD14016S, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
170
+
Бонус: 3.4 !
Бонусная программа
Итого: 170
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -80V, TO-126-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:-1.5A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:TO-126; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo-80 V
collector-emitter saturation voltage-0.5 V
collector- emitter voltage vceo max-80 V
configurationSingle
continuous collector current-1.5 A
dc collector/base gain hfe min40
dc current gain hfe max250
emitter- base voltage vebo-5 V
factory pack quantity60
height11 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length8 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current1.5 A
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleThrough Hole
package / caseTO-126-3
packagingTube
партномер8006265910
part # aliasesBD14016STU_NL
pd - power dissipation12.5 W
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesBD140
transistor polarityPNP
unit weight0.026843 oz
Время загрузки2:03:38
width3.25 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль