BD13916STU, Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:BD13916STU
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Дата загрузки
20.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
ON Semiconductor***
Бренд
ON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo
80 V
collector-emitter saturation voltage
0.5 V
collector- emitter voltage vceo max
80 V
configuration
Single
continuous collector current
1.5 A
dc collector/base gain hfe min
40
dc current gain hfe max
250
emitter- base voltage vebo
5 V
factory pack quantity
1920
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
manufacturer
ON Semiconductor
maximum dc collector current
1.5 A
maximum operating temperature
+150 C
minimum operating temperature
-55 C
mounting style
Through Hole
package / case
TO-126-3
packaging
Tube
партномер
8003198415
part # aliases
BD13916STU_NL
pd - power dissipation
12.5 W
product category
Bipolar Transistors-BJT
product type
BJTs-Bipolar Transistors
series
BD139
subcategory
Transistors
transistor polarity
NPN
Время загрузки
1:35:31
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26