BD13910STU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD13910STU
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD13910STU, Bipolar Transistors - BJT NPN Si ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
200
+
Бонус: 4 !
Бонусная программа
Итого: 200
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:1.5 A
dc collector/base gain hfe min:40
dc current gain hfe max:250
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1920
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:1.5 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:Through Hole
package/case:TO-126-3
packaging:Tube
партномер8004832870
part # aliases:BD13910STU_NL
pd - power dissipation:12.5 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BD139
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:58:32
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль