BD13910S, Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD13910S
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD13910S, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.761
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Epitaxial Sil
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.761
Высота1.5 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
длина8 mm
другие названия товара №BD13910S_NL
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.160
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)80 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1.5 A
партномер8004832869
pd - рассеивание мощности12.5 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
размер фабричной упаковки2000
серияBD139
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-126-3
вид монтажаThrough Hole
Время загрузки0:58:32
Ширина3.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль