BD139-16S

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD139-16S
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.761
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
500
+
Бонус: 10 !
Бонусная программа
Итого: 500
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOL, NPN, 80V, TO-126-3; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:1.25W; DC Collector Current:1.5A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:TO-126; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.761
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
automotiveNo
collector- base voltage vcbo80 V
collector-emitter saturation voltage0.5 V
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
continuous collector current1.5 A
dc collector/base gain hfe min40
dc current gain hfe max160
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity250
height1.5 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
length8 mm
manufacturerON Semiconductor
maximum dc collector current1.5 A
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation - (mw)1250
militaryNo
minimum dc current gain25@5mA@2VI25@0.5A@2VI100@150mA@2V
minimum operating temperature-55 C
mounting styleThrough Hole
number of elements per chip1
package / caseTO-126-3
packagingBulk
партномер8002986544
part # aliasesBD13916S_NL
pd - power dissipation12.5 W
pin count3
product categoryBipolar Transistors-BJT
rohsDetails
seriesBD139
supplier packageTO-126
transistor polarityNPN
unit weight0.026843 oz
Время загрузки0:44:35
width3.25 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль