BD139-10, Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD139-10
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ST Microelectronics BD139-10, Bipolar Transistors - BJT NPN ...
STMicroelectronics
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.06
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTСтандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Дата загрузки18.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.06
Информация о производителе
ПроизводительSTMicroelectronics
БрендSTMicroelectronics
Основные
automotiveNo
частота перехода ft-
collector- base voltage vcbo80 V
collector- base voltage vcbo:80 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max80 V
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current1.5А
dc collector/base gain hfe min63
dc collector/base gain hfe min:63
dc усиление тока hfe40hFE
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
eu rohsCompliant with Exemption
factory pack quantity2000
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
height10.8 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество выводов3вывод(-ов)
кол-во в упаковке50
квалификация-
lead shapeThrough Hole
length7.8 mm
линейка продукции-
максимальная рабочая температура150°C
manufacturerSTMicroelectronics
manufacturer:STMicroelectronics
materialSi
maximum collector base voltage (v)80
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@0.05A@0.5A
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current1.5 A
maximum dc collector current:1.5 A
maximum dc collector current (a)01.05.2024
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)1250
minimum dc current gain63@150mA@2V
minimum operating temperature-65 C
minimum operating temperature (°c)-65
монтаж транзистораThrough Hole
mountingThrough Hole
mounting styleThrough Hole
mounting style:Through Hole
number of elements per chip1
package / caseSOT-32-3
package / case:SOT-32-3
packagingTube
packaging:Tube
партномер8004825008
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation1250 mW
pd - power dissipation:1.25 W
pin count3
полярность транзистораNPN
power dissipation1.25Вт
ppapNo
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
rohsDetails
seriesBD139
series:BD139
standard package nameSOT
стиль корпуса транзистораSOT-32
subcategory:Transistors
supplier packageSOT-32
supplier temperature gradeIndustrial
tabTab
technology:Si
transistor polarityNPN
transistor polarity:NPN
typeNPN
Время загрузки14:01:12
width2.7 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль