BD137G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1.5 А, 1.25 Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD137G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD137G, Биполярный транзистор, NPN, 60 В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Высота11.04 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
95
+
Бонус: 1.9 !
Бонусная программа
Итого: 95
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 60 В, 1.5 А, 1.25 Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.2
Высота11.04 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
КорпусTO-225AA
automotiveNo
collector- base voltage vcbo60 V
collector-emitter saturation voltage0.5 V
collector- emitter voltage vceo max60 V
configurationSingle
continuous collector current1.5 A
dc collector/base gain hfe min25
длина7.74 mm
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
eu rohsCompliant
factory pack quantity500
height11.04 mm
hts8541.29.00.95
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)25
конфигурацияSingle
lead shapeThrough Hole
length7.74 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1.5 A
manufacturerON Semiconductor
materialSi
maximum base current (a)0.5
maximum collector base voltage60 V
maximum collector base voltage (v)60
maximum collector cut-off current (na)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@0.05A@0.5A
maximum collector emitter voltage60 V
maximum collector-emitter voltage (v)60
maximum dc collector current1.5 A
maximum dc collector current (a)01.05.2024
maximum emitter base voltage5 V
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation1.25 W
maximum power dissipation (mw)1250
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain25@0.005A@2V|40@0.15A@2V|25@0.5A@2V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingThrough Hole
mounting styleSMD/SMT
mounting typeThrough Hole
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1.5 A
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
package / caseTO-225-3
package height11.1(Max)
package length7.8(Max)
package typeTO-225
package width3(Max)
packagingBox
партномер8034876444
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation1.25 W
pd - рассеивание мощности1.25 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Power
размер фабричной упаковки500
rohsDetails
seriesBD137
серияBD137
supplier packageTO-225
tabTab
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
typeNPN
упаковкаBulk
упаковка / блокTO-225-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:32:55
Ширина2.66 мм
width2.66 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль