BD136G, BD136G PNP Digital Transistor, -45 V, 3-Pin TO-225
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD136G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Bipolar TransistorsThis series of plastic, medium-power PNP transistors are designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Высота | 11.04 mm (Max) |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| configuration | Single |
| длина | 7.74 mm (Max) |
| eccn (us) | ear99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| material | Si |
| maximum base current (a) | 0.5 |
| maximum collector base voltage (v) | 45 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5@0.05A@0.5A |
| maximum collector emitter voltage | -45 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 45 |
| maximum dc collector current (a) | 01.05.2024 |
| maximum emitter base voltage | 5 V dc |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | +150 °C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 12.5 W |
| maximum power dissipation (mw) | 1250 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 40 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 45 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.5 V |
| непрерывный коллекторный ток | 1.5 A |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| package type | TO-225 |
| packaging | Box |
| партномер | 8014870171 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Power |
| размер фабричной упаковки | 500 |
| серия | BD136 |
| standard package name | TO |
| supplier package | TO-225 |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor type | PNP |
| type | PNP |
| упаковка | Bulk |
| упаковка / блок | TSSOP-24 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 0:58:36 |
| Ширина | 2.66 м |
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
