BD13610S, Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD13610S
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD13610S, Bipolar Transistors - BJT PNP Si ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:45 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current:-1.5 A
dc collector/base gain hfe min:40
dc current gain hfe max:250
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:1.5 A
maximum operating temperature:+150 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-126-3
packaging:Bulk
партномер8004832862
pd - power dissipation:12.5 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BD136
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки0:58:40
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль