BD135G, 100nA 45V 1.25W 40@150mA,2V 1.5A 500mV@500mA,50mA NPN -55°C~+150°C@(Tj) TO-225-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BD135G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BD135G, 100nA 45V 1.25W 40@150mA,2V 1.5A ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
250
+
Бонус: 5 !
Бонусная программа
Итого: 250
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.76
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector- base voltage vcbo:45 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configuration:Single
continuous collector current:1.5 A
dc collector/base gain hfe min:25
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:500
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:onsemi
maximum dc collector current:1.5 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-225-3
packaging:Bulk
партномер8017637499
pd - power dissipation:12.5 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BD135
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:54:28
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль