BCY58-VIII PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCY58-VIII PBFREE
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Central BCY58-VIII PBFREE, Bipolar Transistors - BJT ...
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки23.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительCentral Semiconductor Corp
БрендCentral Semiconductor Corp
Основные
collector- base voltage vcbo:32 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max:32 V
configuration:Single
emitter- base voltage vebo:7 V
factory pack quantity: factory pack quantity:2000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Central Semiconductor
maximum dc collector current:100 mA
maximum operating temperature:+200 C
minimum operating temperature:-65 C
mounting style:Through Hole
package / case:TO-18-3
packaging:Bulk
партномер8005049703
pd - power dissipation:340 mW
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
subcategory:Transistors
transistor polarity:NPN
Время загрузки0:27:14
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль