BCX56TX, Bipolar Transistors - BJT BCX56T/SOT89/MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCX56TX
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCX56TX, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0403
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
120
+
Бонус: 2.4 !
Бонусная программа
Итого: 120
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0403
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBCX56 ->
частота перехода ft155МГц
collector emitter voltage max80В
continuous collector current
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain hfe min40hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce63 @ 150mA, 2V
dc усиление тока hfe40hFE
другие названия товара №9,34661E+11
eccnEAR99
frequency - transition155MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)63
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииBCX56T
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора2 A
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
непрерывный коллекторный ток1 A
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
партномер8005273864
pd - рассеивание мощности500 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation500мВт
power - max500mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)155 MHz
размер фабричной упаковки1000
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
стиль корпуса транзистораSC-62
supplier device packageSOT-89
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки23:06:55
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль