BCX5616H6327XTSA1, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCX5616H6327XTSA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTORS
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Бренд | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Основные | |
| automotive | Yes |
| configuration | Single Dual Collector |
| другие названия товара № | BCX 56-16 H6327 SP001125482 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Flat |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| material | Si |
| maximum collector base voltage (v) | 100 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5 50mA 500mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
| maximum dc collector current (a) | 1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| minimum dc current gain | 25 5mA 2V|100 150mA 2V|25 500mA 2V |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| партномер | 8003279482 |
| part status | LTB |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 2 W |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | Unknown |
| product category | Bipolar Power |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| standard package name | SOT |
| supplier package | SOT-89 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-89-4 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 3:22:38 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
