BCX56-10,115

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 80V 1A
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage80V
длина:4.6 mm
другие названия товара №:933663090115
53
+
Бонус: 1.06 !
Бонусная программа
Итого: 53
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 80V 1A
Вес и габариты
collector-emitter breakdown voltage80V
длина:4.6 mm
другие названия товара №:933663090115
категория продукта:Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.:63 at 150 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):63
конфигурация:Single
квалификация:AEC-Q101
максимальная рабочая температура:+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора:1 A
maximum dc collector current1A
минимальная рабочая температура:- 65 C
напряжение эмиттер-база (vebo):5 V
напряжение коллектор-база (vcbo):100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.:80 V
pd - power dissipation1.25W
pd - рассеивание мощности:1250 mW
подкатегория:Transistors
полярность транзистора:NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft):180 MHz
производитель:Nexperia
размер фабричной упаковки:1000
ширина:2.6 mm
технология:Si
тип продукта:BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка:Nexperia
transistor typeNPN
упаковка / блок:SOT-89-3
вес, г0.1305
вид монтажа:SMD/SMT
высота:1.6 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль