BCX55TA
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 60 V |
| collector-emitter saturation voltage | 500 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
| configuration | Single |
| dc collector/base gain hfe min | 25 at 5 mA, 2 V |
| длина | 4.6 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 6 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 150 MHz |
| Высота | 1.6 мм |
| hts | 8541.29.00.95 |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 5 mA, 2 V |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1.5 A |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| material | Si |
| maximum collector base voltage (v) | 60 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5@50mA@500mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 60 |
| maximum dc collector current | 1.5 A |
| maximum dc collector current (a) | 1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2000 |
| maximum transition frequency (mhz) | 150(Min) |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V |
| minimum operating temperature | -65 C |
| minimum operating temperature (°c) | -65 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-89-3 |
| package height | 1.5 |
| package length | 4.5 |
| package width | 2.5 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 1000 mW |
| pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| series | BCX55 |
| серия | BCX55 |
| standard package name | SOT |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | SOT-89 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| tab | Tab |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| вес, г | 0.05 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 2.6 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26