BCX55-16,115, Bipolar Transistors - BJT BCX55-16/SOT89/MPT3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCX55-16,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCX55-16,115, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1305
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.1305
Высота1.6 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBCX55 ->
collector-emitter breakdown voltage60V
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 2V
длина4.6 mm
другие названия товара №BCX55-16 T/R
eccnEAR99
frequency - transition180MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.100 at 150 mA at 2 V
кол-во в упаковке1000
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage60 V
maximum collector emitter voltage60 V
maximum dc collector current1A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency180 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation1.25 W
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain63
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-243AA
package typeUPAK
партномер8005273854
pd - power dissipation1.25W
pd - рассеивание мощности1250 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1.25W
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-89
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-89-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)60V
Время загрузки23:07:08
Ширина2.6 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль