BCX5316-13R, Bipolar Transistors - BJT PNP Med PWR -1A 10 and 16 -500mV

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCX5316-13R
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCX5316-13R, Bipolar Transistors - BJT PNP ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:100 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:80 V
configuration:Single
continuous collector current:-100 mA
dc collector/base gain hfe min:40 at-150 mA, -2 V
dc current gain hfe max:250 at-150 mA, -2 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:4000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-89-3
партномер8005058174
pd - power dissipation:1 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BCX53
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:PNP
Время загрузки22:23:11
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль