| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| Высота | 1.6 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | NXP Semiconductor |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| частота перехода ft | 145МГц |
| collector- base voltage vcbo | 60 V |
| collector emitter voltage max | 60В |
| collector- emitter voltage vceo max | 60 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 1А |
| dc collector/base gain hfe min | 63 at 150 mA at 2 V |
| dc current gain hfe max | 63 at 150 mA at 2 V |
| dc current gain hfe min | 63hFE |
| dc усиление тока hfe | 63hFE |
| длина | 4.6 mm |
| другие названия товара № | 9,33663E+11 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| gain bandwidth product ft | 145 MHz |
| height | 1.6 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 63 at 150 mA, 2 V |
| количество выводов | 3вывод(-ов) |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 at 150 mA, 2 V |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| length | 4.6 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| manufacturer | Nexperia |
| maximum collector base voltage | -60 V |
| maximum collector emitter voltage | -60 V |
| maximum dc collector current | 1 A |
| maximum emitter base voltage | -5 V |
| maximum operating frequency | 145 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 1.35 W |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 63 |
| minimum operating temperature | -65 C |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 60 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 60 V |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-89-3 |
| package type | SOT-89 |
| packaging | Reel |
| партномер | 8017195908 |
| part # aliases | BCX52-10 T/R |
| pd - power dissipation | 1300 mW |
| pd - рассеивание мощности | 1300 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| power dissipation | 500мВт |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 145 MHz |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rohs | Details |
| серия | BCX52 |
| стиль корпуса транзистора | SOT-89 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | PNP |
| transistor type | PNP |
| упаковка / блок | SOT-89-3 |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:25:19 |
| Ширина | 2.6 мм |
| width | 2.6 mm |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
