| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.05 |
| Высота | 0.94 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 50 V |
| collector-emitter saturation voltage | 0.21 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 45 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 0.1 A |
| dc collector/base gain hfe min | 200 |
| длина | 2.9 mm |
| eccn (us) | ear99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | compliant |
| factory pack quantity | 3000 |
| gain bandwidth product ft | 300 MHz |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum base emitter saturation voltage (v) | 0.85(Typ)@2.5mA@50mA |
| maximum collector base voltage | 50 V |
| maximum collector base voltage (v) | 50 |
| maximum collector cut-off current (na) | 100 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25@0.5mA@10mA |
| maximum collector emitter voltage | 45 V |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 45 |
| maximum dc collector current | 0.1 A |
| maximum dc collector current (a) | 0.1 |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating frequency | 300 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation | 225 mW |
| maximum power dissipation (mw) | 300 |
| maximum transition frequency (mhz) | 300(Typ) |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 200@2mA@5V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | surface mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 50 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 45 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.21 V |
| непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-23-3 |
| package type | SOT-23 |
| packaging | Reel |
| партномер | 8002979110 |
| part status | active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 225 mW |
| pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 300 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rohs | Details |
| series | BCW72L |
| серия | BCW72L |
| standard package name | SOT |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | SOT-23 |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:37:56 |
| Ширина | 1.3 мм |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
