BCW70

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BCW70
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.044
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
97
+
Бонус: 1.94 !
Бонусная программа
Итого: 97
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:150hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):-300mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:2mA; Device Marking:BCW70; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:215; No. of Transistors:1; Noise Factor Max:10dB; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:H2; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vcbo:50V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.044
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo50 V
collector- emitter voltage vceo max45 V
configurationSingle
dc collector/base gain hfe min215 at 2 mA at 5 V
dc current gain hfe max215 at 2 mA at 5 V
длина3 mm
другие названия товара №BCW70 T/R
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.215 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)215 at 2 mA at 5 V
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
length3 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
manufacturerNEXPERIA
maximum collector base voltage50 V
maximum collector emitter voltage-45 V
maximum dc collector current0.1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation250 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain215
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package typeSOT-23(TO-236AB)
packagingReel
партномер8002986511
part # aliasesBCW70 T/R
pd - power dissipation250 mW
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораPNP
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
rohsDetails
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityPNP
transistor typePNP
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:25:22
Ширина1.4 мм
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль