BCW66KHE6327HTSA1, Bipolar Transistors - BJT NPN 45.0 V 100 mA
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:BCW66KHE6327HTSA1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.33 Вт
Дата загрузки
22.02.2024
Вес и габариты
вес, г
1
Информация о производителе
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
collector current
0.8A
frequency
170MHz
категория
Электронные компоненты/Транзисторы
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
150°C
максимальная рассеиваемая мощность
500mW
manufacturer
Infineon Technologies
maximum base emitter saturation voltage
1.25V
maximum collector base voltage
75V
maximum collector emitter voltage
45V
maximum dc collector current
0.8A
maximum emitter base voltage
5V
maximum operating frequency
170MHz
minimum dc current gain
250
minimum operating temperature
-65°C
mounting
SMD
number of elements per chip
1
партномер
8005238705
pin count
3
power dissipation
0.5W
product height
1mm
разрешение
Bipolar Small Signal
supplier package
SOT-23
Тип
NPN
Время загрузки
3:21:23
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26