BCW66HVL, Bipolar Transistors - BJT BCW66H/SOT23/TO-236AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCW66HVL
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCW66HVL, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
49
+
Бонус: 0.98 !
Бонусная программа
Итого: 49
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT TRANS BIPOLAR
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.0075
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBCW66 ->
частота перехода ft100МГц
continuous collector current800мА
current - collector cutoff (max)5ВµA (ICBO)
current - collector (ic) (max)800mA
dc current gain hfe min250hFE
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce250 @ 100mA, 1V
dc усиление тока hfe250hFE
другие названия товара №9,34071E+11
eccnEAR99
frequency - transition100MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.600
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииBCW66
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора800 mA
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)50 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер450 mV
непрерывный коллекторный ток800 mA
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
партномер8005273814
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation250мВт
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки10000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
стиль корпуса транзистораTO-236AB
supplier device packageTO-236AB
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor typeNPN
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vce saturation (max) @ ib, ic450mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)45V
Время загрузки15:14:17
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль