BCW66HQTA, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCW66HQTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCW66HQTA, Bipolar Transistors - BJT General ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г24
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
130
+
Бонус: 2.6 !
Бонусная программа
Итого: 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г24
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.630
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора800 mA
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)7 V
напряжение коллектор-база (vcbo)75 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.45 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.7 mV
непрерывный коллекторный ток800 mA
партномер8006350758
pd - рассеивание мощности350 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:22:48
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль