BCW66GLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.225 Вт

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCW66GLT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BCW66GLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
15
+
Бонус: 0.3 !
Бонусная программа
Итого: 15
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.8 А, 0.225 Вт
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
Корпусsot-23
automotiveNo
collector- base voltage vcbo75 V
collector- base voltage vcbo:75 V
collector-emitter saturation voltage0.7 V
collector-emitter saturation voltage:700 mV
collector- emitter voltage vceo max45 V
collector- emitter voltage vceo max:45 V
configurationSingle
configuration:Single
continuous collector current800 mA
continuous collector current:800 mA
eccn (us)EAR99
emitter- base voltage vebo5 V
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity3000
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
gain bandwidth product ft100 MHz
gain bandwidth product ft:100 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
lead shapeGull-wing
manufacturerON Semiconductor
manufacturer:onsemi
materialSi
maximum base emitter saturation voltage (v)2@50mA@500mA
maximum collector base voltage75 V dc
maximum collector base voltage (v)75
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@10mA@100mA|0.7@50mA@500mA
maximum collector emitter voltage45 V
maximum collector-emitter voltage (v)45
maximum dc collector current0.8 A
maximum dc collector current:800 mA
maximum dc collector current (a)0.8
maximum emitter base voltage5 V dc
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating frequency100 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation300 mW
maximum power dissipation (mw)300
maximum transition frequency (mhz)100(Min)
minimum dc current gain50@100uA@10V|110@10mA@1V|160@100mA@1V|60@500mA@2V
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature:-55 C
minimum operating temperature (°c)-55
mountingSurface Mount
mounting styleSMD/SMT
mounting style:SMD/SMT
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / caseSOT-23-3
package / case:SOT-23-3
package typeSOT-23
packagingCut Tape or Reel
партномер8343047006
part statusActive
pcb changed3
pd - power dissipation225 mW
pd - power dissipation:225 mW
pin count3
ppapNo
product categoryBipolar Transistors-BJT
product category:Bipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
product type:BJTs-Bipolar Transistors
seriesBCW66
series:BCW66
standard package nameSOT
subcategoryTransistors
subcategory:Transistors
supplier packageSOT-23
technology:Si
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor polarity:NPN
transistor typeNPN
typeNPN
Время загрузки0:23:36
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль