BCW60D,215, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCW60D,215
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCW60D,215, Биполярный транзистор, NPN, 32 В ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
3
+
Бонус: 0.06 !
Бонусная программа
Итого: 3
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторыБиполярный транзистор, NPN, 32 В, 0.1 А
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
Корпусsot-23
base product numberBCW60 ->
collector-emitter breakdown voltage32V
current - collector cutoff (max)20nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce380 @ 2mA, 5V
длина3 mm
другие названия товара №BCW60D T/R
eccnEAR99
frequency - transition250MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
кол-во в упаковке3000
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
maximum collector base voltage32 V
maximum collector emitter voltage32 V
maximum dc collector current100mA
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency250 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation250 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain380
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)32 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.32 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package typeSOT-23(TO-236AB)
партномер8359788337
pd - power dissipation250mW
pd - рассеивание мощности250 mW
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max250mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)250 MHz
размер фабричной упаковки3000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
supplier device packageTO-236AB
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-23-3
vce saturation (max) @ ib, ic550mV @ 1.25mA, 50mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)32V
Время загрузки14:32:35
Ширина1.4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль