| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.05 |
| Высота | 1 mm |
| Высота | 1 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | NXP Semiconductor |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| base product number | BCW60 -> |
| collector- base voltage vcbo | 32 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 32 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 100 mA |
| current - collector cutoff (max) | 20nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 100mA |
| dc collector/base gain hfe min | 250 |
| dc current gain hfe max | 40 at 10 uA at 5 V |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 250 @ 2mA, 5V |
| длина | 3 mm |
| другие названия товара № | BCW60C T/R |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 3000 |
| frequency - transition | 250MHz |
| gain bandwidth product ft | 250 MHz |
| height | 1 mm |
| htsus | 8541.21.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 40 at 10 uA at 5 V |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| конфигурация | Single |
| length | 3 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| manufacturer | Nexperia |
| maximum dc collector current | 200 mA |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum operating temperature | -65 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 32 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 32 V |
| непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-23-3 |
| packaging | Cut Tape |
| партномер | 8018074214 |
| part # aliases | BCW60C T/R |
| pd - power dissipation | 250 mW |
| pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 250mW |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 250 MHz |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs | Details |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| supplier device package | TO-236AB |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| unit weight | 0.000282 oz |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 550mV @ 1.25mA, 50mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 32V |
| Время загрузки | 1:25:22 |
| Ширина | 1.4 мм |
| width | 1.4 mm |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
