BCW33LT1G, 32V 300mW 420@2mA,5V 100mA NPN SOT233 Bipolar Transistors BJT ROHS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCW33LT1G
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT 100mA 32V NPN
| Дата загрузки | 20.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 1 |
| Высота | 0.94 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | ON Semiconductor*** |
| Бренд | ON Semiconductor*** |
| Основные | |
| automotive | No |
| collector- base voltage vcbo | 32 V |
| collector-emitter saturation voltage | 0.25 V |
| collector- emitter voltage vceo max | 32 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 0.1 A |
| dc collector/base gain hfe min | 420 |
| dc current gain hfe max | 800 |
| длина | 2.9 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| eu rohs | Compliant |
| factory pack quantity | 3000 |
| height | 0.94 mm |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 800 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| lead shape | Gull-wing |
| length | 2.9 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| manufacturer | ON Semiconductor |
| material | Si |
| maximum collector base voltage (v) | 32 |
| maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.25 0.5mA 10mA |
| maximum collector-emitter voltage (v) | 32 |
| maximum dc collector current | 0.1 A |
| maximum dc collector current (a) | 0.1 |
| maximum emitter base voltage (v) | 5 |
| maximum operating temperature | + 150 C |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 300 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 420 2mA 5V |
| minimum operating temperature | - 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| mounting style | SMD/SMT |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 32 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 32 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.25 V |
| непрерывный коллекторный ток | 0.1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| package / case | SOT-23-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| партномер | 8008569845 |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - power dissipation | 225 mW |
| pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| ppap | No |
| product category | Bipolar Transistors - BJT |
| product type | BJTs - Bipolar Transistors |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| series | BCW33L |
| серия | BCW33L |
| standard package name | SOT |
| subcategory | Transistors |
| supplier package | SOT-23 |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | ON Semiconductor |
| transistor polarity | NPN |
| type | NPN |
| unit weight | 0.000282 oz |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 0:22:56 |
| Ширина | 1.3 мм |
| width | 1.3 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
