BCW33

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BCW33
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
94
+
Бонус: 1.88 !
Бонусная программа
Итого: 94
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:32V; Transition Frequency ft:-; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:600hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (15-Jan-2018); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):250mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:2mA; Device Marking:BCW33; Gain Bandwidth ft Min:100MHz; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Hfe Min:420; No. of Transistors:1; Noise Factor Max:10dB; Operating Temperature Min:-65°C; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Power Dissipation Ptot Max:250mW; SMD Marking:D3; Termination Type:Surface Mount Device; Voltage Vcbo:32V
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.05
Высота1 mm
Высота 1 мм
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
collector- base voltage vcbo32 V
collector- emitter voltage vceo max32 V
configurationSingle
continuous collector current100 mA
dc collector/base gain hfe min420
dc current gain hfe max420 at 2 mA at 5 V
длина3 mm
другие названия товара №BCW33 T/R
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity3000
gain bandwidth product ft100 MHz
height1 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.420 at 2 mA at 5 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)420
конфигурацияSingle
length3 mm
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора200 mA
manufacturerNexperia
maximum dc collector current200 mA
maximum operating temperature+150 C
минимальная рабочая температура65 C
minimum operating temperature-65 C
mounting styleSMD/SMT
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)32 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.32 V
непрерывный коллекторный ток100 mA
package / caseSOT-23-3
packagingCut Tape
партномер8002989706
part # aliasesBCW33 T/R
pd - power dissipation250 mW
pd - рассеивание мощности250 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
product categoryBipolar Transistors-BJT
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)100 MHz
размер фабричной упаковки3000
rohsDetails
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor polarityNPN
unit weight0.000282 oz
упаковка / блокSOT-23-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки1:25:22
Ширина1.4 мм
width1.4 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль