BCW32LT1G, Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCW32LT1G
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) ON Semiconductor BCW32LT1G, Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW ...
ON Semiconductor***
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
7
+
Бонус: 0.14 !
Бонусная программа
Итого: 7
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT 100mA 32V NPN
Дата загрузки20.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Высота0.94 mm
Информация о производителе
ПроизводительON Semiconductor***
БрендON Semiconductor***
Основные
collector emitter voltage max32В
continuous collector current100мА
dc current gain hfe min200hFE
dc усиление тока hfe200hFE
длина2.9 mm
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)32 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.32 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.25 V
непрерывный коллекторный ток0.1 A
партномер8003213931
pd - рассеивание мощности225 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation225мВт
размер фабричной упаковки3000
серияBCW32L
стиль корпуса транзистораSOT-23
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаON Semiconductor
упаковка / блокSOT-23-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки0:22:59
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль