Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.136 |
Высота | 1мм |
Высота | 1 мм |
Информация о производителе | |
Производитель | Nexperia |
Бренд | NXP Semiconductor |
Основные | |
число контактов | 4 |
collector-emitter breakdown voltage | 30V |
длина | 3мм |
другие названия товара № | 9,33792E+11 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
количество элементов на ис | 2 |
конфигурация | Dual |
квалификация | AEC-Q101 |
максимальная рабочая частота | 100 МГц |
максимальная рабочая температура | +150 °C |
максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
максимальное напряжение коллектор-база | 30 V |
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 30 V |
максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,85 В |
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,65 В |
максимальное рассеяние мощности | 250 мВт |
максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
maximum collector base voltage | 30 V |
maximum collector emitter saturation voltage | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA@TR 1 V |
maximum collector emitter voltage | 30 V |
maximum dc collector current | 0.1 A |
maximum operating frequency | 100(Min)MHz |
maximum power dissipation | 250 mW |
минимальная рабочая температура | -65 °C |
минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
minimum dc current gain | 100@100uA@5V@TR 1|100@2mA@5V@TR 1|420@2mA@5V@TR 2 |
mounting | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 30 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
operating temperature | -65 to 150 ?C |
package | 4SOT-143B |
packaging | Tape & Reel |
партномер | 8002980286 |
pd - power dissipation | 250mW |
pd - рассеивание мощности | 250 mW |
pin count | 4 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | PNP |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
rad hard | No |
размеры | 1 x 3 x 1.4мм |
размер фабричной упаковки | 3000 |
технология | Si |
тип корпуса | SOT-143B |
тип монтажа | Поверхностный монтаж |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
тип транзистора | PNP |
торговая марка | Nexperia |
transistor configuration | Токовое зеркало |
transistor type | 2 PNPпј€Doubleпј‰Current Mirror |
type | PNP |
упаковка / блок | SOT-143B-4 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 1:25:26 |
Ширина | 1.4 мм |