BCV62C,215, Bipolar Transistors - BJT BCV62C/SOT143/SOT4
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCV62C,215
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT PNP 30V 100mA
| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.11 |
| Высота | 1 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia |
| Бренд | Nexperia B.V. |
| Основные | |
| число контактов | 4 |
| collector-emitter breakdown voltage | 30V |
| длина | 3 mm |
| другие названия товара № | 9,33792E+11 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество элементов на ис | 2 |
| конфигурация | Dual |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 30 V |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 30 V |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,85 В |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,65 В |
| максимальное рассеяние мощности | 250 мВт |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| maximum collector base voltage | 30 V |
| maximum collector emitter saturation voltage | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA@TR 1 V |
| maximum collector emitter voltage | 30 V |
| maximum dc collector current | 100mA |
| maximum operating frequency | 100(Min)MHz |
| maximum power dissipation | 250 mW |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| minimum dc current gain | 100@100uA@5V@TR 1|100@2mA@5V@TR 1|420@2mA@5V@TR 2 |
| mounting | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 30 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
| operating temperature | -65 to 150 ?C |
| package | 4SOT-143B |
| packaging | Tape & Reel |
| партномер | 8005273797 |
| pd - power dissipation | 250mW |
| pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| rad hard | No |
| размеры | 1 x 3 x 1.4мм |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| технология | Si |
| тип корпуса | SOT-143B |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| тип транзистора | PNP |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor configuration | Токовое зеркало |
| transistor type | 2 PNPпј€Doubleпј‰Current Mirror |
| type | PNP |
| упаковка / блок | SOT-143B-4 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 23:06:26 |
| Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
