| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.136 |
| Высота | 1мм |
| Высота | 1 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | Nexperia |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| число контактов | 4 |
| collector-emitter breakdown voltage | 30V |
| длина | 3мм |
| другие названия товара № | 9,33792E+11 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| количество элементов на ис | 2 |
| конфигурация | Dual |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая частота | 100 МГц |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение эмиттер-база | 6 В |
| максимальное напряжение коллектор-база | 30 V |
| максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер) | 30 V |
| максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,85 В |
| максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,65 В |
| максимальное рассеяние мощности | 250 мВт |
| максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| максимальный пост. ток коллектора | 100 mA |
| maximum collector base voltage | 30 V |
| maximum collector emitter saturation voltage | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA@TR 1 V |
| maximum collector emitter voltage | 30 V |
| maximum dc collector current | 0.1 A |
| maximum operating frequency | 100(Min)MHz |
| maximum power dissipation | 250 mW |
| минимальная рабочая температура | -65 °C |
| минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| minimum dc current gain | 100@100uA@5V@TR 1|100@2mA@5V@TR 1|420@2mA@5V@TR 2 |
| mounting | surface mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 30 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
| operating temperature | -65 to 150 ?C |
| package | 4SOT-143B |
| packaging | Tape & Reel |
| партномер | 8002980286 |
| pd - power dissipation | 250mW |
| pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | PNP |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 100 MHz |
| rad hard | No |
| размеры | 1 x 3 x 1.4мм |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| технология | Si |
| тип корпуса | SOT-143B |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| тип транзистора | PNP |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor configuration | Токовое зеркало |
| transistor type | 2 PNPпј€Doubleпј‰Current Mirror |
| type | PNP |
| упаковка / блок | SOT-143B-4 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 1:25:26 |
| Ширина | 1.4 мм |
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
