Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
Вес и габариты
длина
2.9 mm
другие названия товара №
BCV62AE6327HTSA1 BCV62AE6327XT SP000010889
Высота
1 мм
категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.
220
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
125
конфигурация
Single
максимальная рабочая температура
+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора
200 mA
минимальная рабочая температура
65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)
6 V
напряжение коллектор-база (vcbo)
30 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.
30 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер
250 mV
непрерывный коллекторный ток
100 mA
pd - рассеивание мощности
300 mW
подкатегория
Transistors
полярность транзистора
PNP
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)
250 MHz
размер фабричной упаковки
3000
серия
BCV62
тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка / блок
SOT-143-4
вес, г
0.0111
вид монтажа
SMD/SMT
Ширина
1.3 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26