BCV 61C E6327, Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Double TRANSISTOR
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCV 61C E6327
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN Silicon Double TRANSISTOR
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.054 |
| Высота | 1 mm |
| Информация о производителе | |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Бренд | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Основные | |
| длина | 2.9 mm |
| другие названия товара № | BCV61CE6327HTSA1 BCV61CE6327XT SP000010887 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 800 |
| коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 420 |
| конфигурация | Dual |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальная рассеиваемая мощность | 300 mW |
| максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
| maximum base emitter saturation voltage | 0.9 V |
| maximum collector emitter saturation voltage | 0.6 V |
| maximum collector emitter voltage | 30 V |
| maximum continuous collector current | 100 mA |
| maximum emitter base voltage | 6 V |
| минимальная рабочая температура | 65 C |
| minimum dc current gain | 100 |
| minimum operating temperature | -65 °C |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 6 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 30 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 30 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| number of elements per chip | 2 |
| партномер | 8006250325 |
| pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| pin count | 4 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 250 MHz |
| размеры | 2.9x1.3x1mm |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| серия | BCV61 |
| тип монтажа | Surface Mount |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| тип упаковки | SOT-143 |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-143-4 |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Время загрузки | 3:21:50 |
| Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
