BCR135E6327HTSA1, Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Silicon Digital TRANSISTOR

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCR135E6327HTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BCR135E6327HTSA1, Bipolar Transistors - ...
Infineon
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Высота1мм
Информация о производителе
ПроизводительInfineon
110
+
Бонус: 2.2 !
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - Pre-Biased Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Infineon Линейка биполярных переходных транзисторов от Infineon, оснащенных встроенными резисторами, позволяющими напрямую управлять устройствами от цифровых источников без дополнительных компонентов. Устройства с двойным резистором имеют последовательный входной резистор плюс резистор, подключенный между базой транзистора и эмиттером.
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.01
Высота1мм
Информация о производителе
ПроизводительInfineon
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
automotiveYes
base-emitter resistor47кОм
base part numberBCR135
частота150МГц
число контактов3
configurationSingle
current - collector cutoff (max)100nA(ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce70 @ 5mA, 5V
длина2.9мм
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
factory pack quantity: factory pack quantity:3000
frequency - transition150MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
количество элементов на ис1
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение к-э (коллектор-эмиттер)50 V
максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.3 V
максимальный непрерывный ток коллектора100 mA
manufacturerInfineon Technologies
manufacturer:Infineon
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.3@0.5mA@10mA
maximum collector-emitter voltage (v)50
maximum continuous dc collector current (ma)100
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)200
минимальная рабочая температура-65 °C
минимальный коэффициент усиления по постоянному току70
minimum dc current gain70@5mA@5V
minimum operating temperature (°c)-65
монтажSMD
мощность200мВт
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение коллектор-эмиттер50В
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
package / case:SOT-23-3
packagingTape and Reel
партномер8005238619
part # aliases:BCR 135 E6327 SP000010765
part statusLTB
pcb changed3
pin count3
полярностьбиполярный
power - max200mW
ppapUnknown
product category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
product type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
qualification:AEC-Q101
размеры2.9 x 1.3 x 1мм
resistor - base (r1)10 kOhms
resistor - emitter base (r2)47 kOhms
series-
series:BCR135
standard package nameSOT
subcategory:Transistors
supplier device packageSOT-23-3
supplier packageSOT-23
типичный коэффициент резистора0.21
типичный входной резистор10 кΩ
тип корпусаSOT-23
тип монтажаПоверхностный монтаж
тип транзистораNPN
ток коллектора100мА
transistor configurationОдинарный
transistor typeNPN-Pre-Biased
typeNPN
typical current gain bandwidth (mhz)150
typical input resistor (kohm)10
typical resistor ratio0.21
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки3:21:43
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль