BCR112E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCR112E6327HTSA1
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Infineon BCR112E6327HTSA1, Trans Digital BJT NPN 50V ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
9
+
Бонус: 0.18 !
Бонусная программа
Итого: 9
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > Digital BJTБиполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN - с предварительным смещением 50 В 100 мА 140 МГц 200 мВт поверхностный монтаж SOT-23-3
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительINFINEON TECHNOLOGIES AG.
БрендINFINEON TECHNOLOGIES AG.
Основные
base part numberBCR112
base product numberBCR112 ->
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)100mA
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce20 @ 5mA, 5V
eccnEAR99
frequency - transition140MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturerInfineon Technologies
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
packagingCut Tape(CT)
партномер8003295008
part statusLast Time Buy
power - max200mW
reach statusREACH Unaffected
resistor - base (r1)4.7 kOhms
resistor - emitter base (r2)4.7 kOhms
rohs statusROHS3 Compliant
series-
supplier device packageSOT-23-3
transistor typeNPN - Pre-Biased
vce saturation (max) @ ib, ic300mV @ 500ВµA, 10mA
voltage - collector emitter breakdown (max)50V
Время загрузки3:22:48
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль