Дата загрузки | 22.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.112 |
Информация о производителе | |
Производитель | DIODES INC. |
Бренд | DIODES INC. |
Основные | |
automotive | No |
configuration | Single Dual Collector |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс. | 250 |
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
maximum collector base voltage (v) | 100 |
maximum collector-emitter saturation voltage (v) | 0.5 50mA 500mA |
maximum collector-emitter voltage (v) | 80 |
maximum dc collector current (a) | 1 |
maximum emitter base voltage (v) | 5 |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum power dissipation (mw) | 2000 |
maximum transition frequency (mhz) | 150(Min) |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 25 5mA 2V|40 150mA 2V|25 500mA 2V |
minimum operating temperature (°c) | -65 |
mounting | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
number of elements per chip | 1 |
packaging | Tape and Reel |
партномер | 8006363145 |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
pin count | 4 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
ppap | No |
product category | Bipolar Power |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 150 MHz |
размер фабричной упаковки | 1000 |
серия | BCP56 |
supplier package | SOT-223 |
supplier temperature grade | Automotive |
tab | Tab |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Diodes Incorporated |
type | NPN |
упаковка / блок | SOT-223-4 |
вид монтажа | SMD/SMT |
Время загрузки | 22:32:41 |