BCP5616TC, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP5616TC
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCP5616TC, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
13
+
Бонус: 0.26 !
Бонусная программа
Итого: 13
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJTTrans GP BJT NPN 80V 1A 2000 мВт 4-контактный (3 контакта) SOT-223 T / R
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г1
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
automotiveNo
configurationSingle Dual Collector
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
maximum collector base voltage (v)100
maximum collector-emitter saturation voltage (v)0.5@50mA@500mA
maximum collector-emitter voltage (v)80
maximum dc collector current (a)1
maximum emitter base voltage (v)5
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)2000
maximum transition frequency (mhz)150(Min)
minimum dc current gain25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V
minimum operating temperature (°c)-65
mountingSurface Mount
number of elements per chip1
packagingTape and Reel
партномер8001607321
part statusActive
pcb changed3
pin count4
ppapNo
product categoryBipolar Power
supplier packageSOT-223
supplier temperature gradeAutomotive
tabTab
typeNPN
Время загрузки22:02:59
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль