Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	250 at 150 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 5 mA, 2 V

13 ₽

– +

Бонус: 0.26 !

Бонусная программа

Итого: 13 ₽

Купить

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General PurposeБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 4K

Вес и габариты
категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.	250 at 150 mA, 2 V
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 5 mA, 2 V
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
максимальная рабочая температура	+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора	2 A
минимальная рабочая температура	65 C
напряжение эмиттер-база (vebo)	5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)	100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.	80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
непрерывный коллекторный ток	1 A
pd - рассеивание мощности	2 W
подкатегория	Transistors
полярность транзистора	NPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)	150 MHz
размер фабричной упаковки	4000
технология	Si
тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
торговая марка	Diodes Incorporated
упаковка / блок	SOT-223-3
вид монтажа	SMD/SMT

Отзывов нет

Кнопки

BCP5616QTC, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R