BCP5616QTA, Diodes Incorporated

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP5616QTA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCP5616QTA, Diodes Incorporated
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
56
+
Бонус: 1.12 !
Бонусная программа
Итого: 56
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJTБиполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor
Дата загрузки22.02.2024
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
частота перехода ft150МГц
collector-emitter breakdown voltage80V
continuous collector current
dc усиление тока hfe25hFE
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250
количество выводов3вывод(-ов)
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)100
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
линейка продукцииBCP56 Series
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum dc collector current1A
минимальная рабочая температура65 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер0.5 V
непрерывный коллекторный ток1 A
партномер8003551349
pd - power dissipation2W
pd - рассеивание мощности2 W
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power dissipation2Вт
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки1000
стиль корпуса транзистораSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-3
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:03:08
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль