Дата загрузки | 21.02.2024 |
Вес и габариты | |
вес, г | 0.85 |
Информация о производителе | |
Производитель | NXP Semiconductor |
Бренд | NXP Semiconductor |
Основные | |
base product number | BCP56 -> |
collector- base voltage vcbo | 100 V |
collector-emitter saturation voltage | 500 mV |
collector- emitter voltage vceo max | 80 V |
configuration | Single |
continuous collector current | 1 A |
current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
current - collector (ic) (max) | 1A |
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 150mA, 2V |
eccn | EAR99 |
emitter- base voltage vebo | 5 V |
factory pack quantity | 1000 |
frequency - transition | 100MHz |
gain bandwidth product ft | 155 MHz |
htsus | 8541.29.0075 |
категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
конфигурация | Single |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
manufacturer | Nexperia |
maximum collector base voltage | 100 V |
maximum collector emitter voltage | 80 V |
maximum dc collector current | 1 A |
maximum emitter base voltage | 5 V |
maximum operating frequency | 180 MHz |
maximum operating temperature | +150 C |
maximum power dissipation | 1.35 W |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum dc current gain | 100 |
minimum operating temperature | -55 C |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting style | SMD/SMT |
mounting type | Surface Mount |
напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
непрерывный коллекторный ток | 1 A |
number of elements per chip | 1 |
operating temperature | 150В°C (TJ) |
package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
package / case | SOT-223-4 |
package type | SOT-223(SC-73) |
packaging | Reel |
партномер | 8002989677 |
pd - power dissipation | 1.8 W |
pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
pin count | 3 |
подкатегория | Transistors |
полярность транзистора | NPN |
power - max | 1.35W |
product category | Bipolar Transistors-BJT |
product type | BJTs-Bipolar Transistors |
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 155 MHz |
qualification | AEC-Q101 |
размер фабричной упаковки | 1000 |
reach status | REACH Unaffected |
rohs | Details |
rohs status | ROHS3 Compliant |
series | Automotive, AEC-Q101 -> |
subcategory | Transistors |
supplier device package | SOT-223 |
technology | Si |
технология | Si |
тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
торговая марка | Nexperia |
transistor configuration | Single |
transistor polarity | NPN |
transistor type | NPN |
упаковка / блок | SOT-223-4 |
vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
вид монтажа | SMD/SMT |
voltage - collector emitter breakdown (max) | 80V |
Время загрузки | 1:23:53 |