BCP56-16T

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) NXP BCP56-16T
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.85
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
110
+
Бонус: 2.2!
Бонусная программа
Итого: 110
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
ЭлектроэлементTRANSISTOR, BIPOLAR, AEC-Q101, NPN, 80V; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency ft:180MHz; Power Dissipation Pd:650mW; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:BCP56 Series; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.85
Информация о производителе
ПроизводительNXP Semiconductor
БрендNXP Semiconductor
Основные
base product numberBCP56 ->
collector- base voltage vcbo100 V
collector-emitter saturation voltage500 mV
collector- emitter voltage vceo max80 V
configurationSingle
continuous collector current1 A
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 2V
eccnEAR99
emitter- base voltage vebo5 V
factory pack quantity1000
frequency - transition100MHz
gain bandwidth product ft155 MHz
htsus8541.29.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
manufacturerNexperia
maximum collector base voltage100 V
maximum collector emitter voltage80 V
maximum dc collector current1 A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency180 MHz
maximum operating temperature+150 C
maximum power dissipation1.35 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum dc current gain100
minimum operating temperature-55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting styleSMD/SMT
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
непрерывный коллекторный ток1 A
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSOT-223-4
package typeSOT-223(SC-73)
packagingReel
партномер8002989677
pd - power dissipation1.8 W
pd - рассеивание мощности1.8 W
pin count3
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max1.35W
product categoryBipolar Transistors-BJT
product typeBJTs-Bipolar Transistors
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)155 MHz
qualificationAEC-Q101
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohsDetails
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAutomotive, AEC-Q101 ->
subcategoryTransistors
supplier device packageSOT-223
technologySi
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor polarityNPN
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-4
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки1:23:53
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль