| Дата загрузки | 21.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| вес, г | 0.85 |
| Информация о производителе | |
| Производитель | NXP Semiconductor |
| Бренд | NXP Semiconductor |
| Основные | |
| base product number | BCP56 -> |
| collector- base voltage vcbo | 100 V |
| collector-emitter saturation voltage | 500 mV |
| collector- emitter voltage vceo max | 80 V |
| configuration | Single |
| continuous collector current | 1 A |
| current - collector cutoff (max) | 100nA (ICBO) |
| current - collector (ic) (max) | 1A |
| dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce | 100 @ 150mA, 2V |
| eccn | EAR99 |
| emitter- base voltage vebo | 5 V |
| factory pack quantity | 1000 |
| frequency - transition | 100MHz |
| gain bandwidth product ft | 155 MHz |
| htsus | 8541.29.0075 |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
| manufacturer | Nexperia |
| maximum collector base voltage | 100 V |
| maximum collector emitter voltage | 80 V |
| maximum dc collector current | 1 A |
| maximum emitter base voltage | 5 V |
| maximum operating frequency | 180 MHz |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 1.35 W |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum dc current gain | 100 |
| minimum operating temperature | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| напряжение эмиттер-база (vebo) | 5 V |
| напряжение коллектор-база (vcbo) | 100 V |
| напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс. | 80 V |
| напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
| непрерывный коллекторный ток | 1 A |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-223-4 |
| package type | SOT-223(SC-73) |
| packaging | Reel |
| партномер | 8002989677 |
| pd - power dissipation | 1.8 W |
| pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | Transistors |
| полярность транзистора | NPN |
| power - max | 1.35W |
| product category | Bipolar Transistors-BJT |
| product type | BJTs-Bipolar Transistors |
| произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft) | 155 MHz |
| qualification | AEC-Q101 |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs | Details |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| subcategory | Transistors |
| supplier device package | SOT-223 |
| technology | Si |
| технология | Si |
| тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| торговая марка | Nexperia |
| transistor configuration | Single |
| transistor polarity | NPN |
| transistor type | NPN |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| vce saturation (max) @ ib, ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| voltage - collector emitter breakdown (max) | 80V |
| Время загрузки | 1:23:53 |