BCP56-16,115, Bipolar Transistors - BJT BCP56-16/SOT223/SC-73

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP56-16,115
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Nexperia BCP56-16,115, Bipolar Transistors - BJT ...
Nexperia B.V.
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
140
+
Бонус: 2.8 !
Бонусная программа
Итого: 140
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJTБиполярные транзисторы - BJT NPN 80V 1A
Дата загрузки21.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.112
Высота1.7 mm
Информация о производителе
ПроизводительNexperia B.V.
БрендNexperia B.V.
Основные
base product numberBCP56 ->
collector-emitter breakdown voltage80V
current - collector cutoff (max)100nA (ICBO)
current - collector (ic) (max)1A
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 150mA, 2V
длина6.7 mm
другие названия товара №9,33917E+11
eccnEAR99
frequency - transition180MHz
htsus8541.21.0075
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
кол-во в упаковке1000
конфигурацияSingle
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
maximum collector base voltage100 V
maximum collector emitter voltage80 V
maximum dc collector current1A
maximum emitter base voltage5 V
maximum operating frequency180 MHz
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation960 mW
минимальная рабочая температура65 C
minimum dc current gain63
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)100 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.80 V
number of elements per chip1
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
package typeSOT-223(SC-73)
партномер8004727429
pd - power dissipation960mW
pd - рассеивание мощности960 mW
pin count4
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
power - max960mW
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)180 MHz
размер фабричной упаковки1000
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBCP56
supplier device packageSOT-223
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаNexperia
transistor configurationSingle
transistor typeNPN
упаковка / блокSOT-223-3
vce saturation (max) @ ib, ic500mV @ 50mA, 500mA
вид монтажаSMD/SMT
voltage - collector emitter breakdown (max)80V
Время загрузки23:08:41
Ширина3.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль