BCP55TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP55TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCP55TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.17
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
58
+
Бонус: 1.16 !
Бонусная программа
Итого: 58
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.17
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
коэффициент усиления по постоянному току (hfe), макс.250
коллектор постоянного тока/мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)40
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
максимальный постоянный ток коллектора1 A
минимальная рабочая температура55 C
напряжение эмиттер-база (vebo)5 V
напряжение коллектор-база (vcbo)60 V
напряжение коллектор-эмиттер (vceo), макс.60 V
напряжение насыщения коллектор-эмиттер500 mV
партномер8002527202
pd - рассеивание мощности2000 mW
подкатегорияTransistors
полярность транзистораNPN
произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (ft)150 MHz
размер фабричной упаковки1000
серияBCP55
технологияSi
тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
торговая маркаDiodes Incorporated
упаковка / блокSOT-223-4
вид монтажаSMD/SMT
Время загрузки22:03:08
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль