BCP5510TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В, 1А, 2Вт, SOT223

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BCP5510TA
Электронные компоненты Транзисторы Биполярные (BJTs) Diodes BCP5510TA, Транзистор: NPN, биполярный, 60В ...
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.17
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
32
+
Бонус: 0.64 !
Бонусная программа
Итого: 32
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дата загрузки22.02.2024
Вес и габариты
вес, г0.17
Информация о производителе
ПроизводительDIODES INC.
БрендDIODES INC.
Основные
collector- base voltage vcbo:60 V
collector-emitter saturation voltage:500 mV
collector- emitter voltage vceo max:60 V
configuration:Single
dc collector/base gain hfe min:63
dc current gain hfe max:160
emitter- base voltage vebo:5 V
factory pack quantity: factory pack quantity:1000
gain bandwidth product ft:150 MHz
категорияЭлектронные компоненты/Транзисторы
manufacturer:Diodes Incorporated
maximum dc collector current:1 A
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting style:SMD/SMT
package / case:SOT-223-4
партномер8002549304
pd - power dissipation:2 W
product category:Bipolar Transistors-BJT
product type:BJTs-Bipolar Transistors
series:BCP55
subcategory:Transistors
technology:Si
transistor polarity:NPN
Время загрузки22:03:12
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль